![テスト成膜事例紹介 ~SAL1000B卓上型ALD装置でΦ45um Ni粉体にAl2O3成膜してみた~](https://agus.co.jp/wp-content/uploads/2018/05/SAL1000B-b.png)
テスト成膜事例紹介
粉体にALD成膜可能なSAL1000Bでφ45μm Ni粉体にAl2O3成膜してみた結果をご紹介します。
詳しくはこちらのレポートを見て貰いたいのですが、成膜条件は下記のようにセッティングを行い成膜しました。
- 使用装置:SAL1000B
- 基板回転:On
- 振動:On
- 装置角度:約8度
- 基板温度:350℃
- 試料:φ45μm Ni粉体
- H2O開時間:15msec
- H2O後Wait時間:15sec
- TMA開時間:15msec
- TMA後Wait時間:5sec
- 繰返し回数:1500cycle
繰返し回数は1500cycleなので約165nmのAl2O3の成膜がされていると考えています。
通常
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菅製作所では、テスト成膜サービスも行なっております。
SAL1000Bでどのような成膜ができるのか気になる方は、お気軽にお問い合わせください。